LED企業(yè)生存狀況日益嚴(yán)峻。隨著國(guó)內(nèi)LED行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，不少企業(yè)開始另覓新的發(fā)展方向，以在未來市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占有一席之地。而CSP、UVLED、光引擎、植物照明、LED燈絲燈...等新技術(shù)具有廣闊的市場(chǎng)前景，逐漸成為照明企業(yè)的追捧的“對(duì)象”。那么它們當(dāng)前的發(fā)展情況如何？未來將會(huì)如何發(fā)展？LED企業(yè)又是如何布局，才能搶占市場(chǎng)先機(jī)呢？

　　硅襯底LED作為L(zhǎng)ED芯片襯底三條技術(shù)主要路線之一，硅襯底技術(shù)與藍(lán)寶石和碳化硅相比，具有低成本、大尺寸、高質(zhì)量、能導(dǎo)電等優(yōu)點(diǎn)。雖然當(dāng)前藍(lán)寶石襯底和碳化硅(SiC)基底是市場(chǎng)的主流技術(shù)路線，但受材料所限，很難做到8-12寸等大尺寸外延，現(xiàn)階段藍(lán)寶石襯底做到6寸的比較多且就會(huì)出現(xiàn)一些局限性，而硅襯底可以做到8寸以上。

　　與國(guó)外兩條技術(shù)路線已有二十多年的發(fā)展歷史相比，硅襯底LED技術(shù)從開始研發(fā)到形成產(chǎn)業(yè)集群只用了十年的時(shí)間，不斷完善，不斷超越，砥礪前行。目前以硅襯底LED技術(shù)為基礎(chǔ)，以晶能光電為核心，通過上、中、下游垂直整合，在全國(guó)已經(jīng)形成擁有10幾家企業(yè)的硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈，初具集群規(guī)模，輻射帶動(dòng)效應(yīng)明顯。2012年，硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值5億元；2013年產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)值超過10億元；2014年全產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值20億元；2015年產(chǎn)值達(dá)50億元，未來三年可形成百億產(chǎn)值規(guī)模。

　　晶能光電(江西)有限公司硅基LED研發(fā)副總裁孫錢博士表示，6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。

　　可見，在成本優(yōu)勢(shì)的驅(qū)動(dòng)下，氮化LED芯片生產(chǎn)將從藍(lán)寶石或SiC襯底向硅襯底轉(zhuǎn)移。隨著技術(shù)不斷進(jìn)步，硅襯底將成為L(zhǎng)ED產(chǎn)品大幅降低生產(chǎn)成本、提高自動(dòng)化生產(chǎn)程度的一條主要的技術(shù)路線。

　　作為一種新的芯片尺寸級(jí)封裝技術(shù)，具有眾多優(yōu)勢(shì)。在燈具設(shè)計(jì)上，由于尺寸減小，可使燈具設(shè)計(jì)更加靈活，結(jié)構(gòu)也更加緊湊簡(jiǎn)潔。在性能上，由于CSP的小發(fā)光面、高光密特性，易于光學(xué)指向性控制；利用倒裝芯片的電極設(shè)計(jì)，使其電流分配更家均衡，適合更大電流驅(qū)動(dòng)；Droop效應(yīng)的減緩，以及減少了光吸收，使CSP具有進(jìn)一步提升光效的空間。在工藝上，藍(lán)寶石使熒光粉與芯片MQW區(qū)的距離增加，熒光粉溫度更低，白光轉(zhuǎn)換效率也更高。

　　雖然CSP技術(shù)具有諸多優(yōu)勢(shì)，但目前國(guó)內(nèi)的背光廠家并沒有大規(guī)模量產(chǎn)，更多的是一些試水性的試樣。從性能和可靠性的角度來講，CSP當(dāng)前會(huì)面臨光效低、焊接困難、光色一致性等問題，還沒有真正達(dá)到應(yīng)用的要求。

　　未來，隨著CSP技術(shù)的不斷創(chuàng)新完善，使其性能提升、成本下降。在閃光燈、汽車燈、顯示屏等領(lǐng)域具有更大的發(fā)展空間，創(chuàng)造出更大的價(jià)值，這可預(yù)示CSP技術(shù)將會(huì)是LED封裝未來發(fā)展趨勢(shì)。

　　一般指單波長(zhǎng)在400nm以下的不可見光，又稱紫外LED。具有方向性能好、低電壓、綠色環(huán)保、波長(zhǎng)可測(cè)、長(zhǎng)壽命、輕便靈活、切換迅速、耐震耐潮等優(yōu)點(diǎn)。

　　主要分為UV-A（320~400nm）、UV-B（280~320nm）和UV-C（200~280nm）三類，分別應(yīng)用于用固化裝置、驗(yàn)鈔機(jī)等，醫(yī)療/生物領(lǐng)域中的治療儀及分析儀器，殺菌消毒領(lǐng)域。目前UVLED市場(chǎng)UVA占九成。

　　波長(zhǎng)越短的紫外LED發(fā)光效率越低，制備難度越高，價(jià)格也越貴。UV-B和UV-C波段的LED發(fā)光效率只是UV-A的10%-20%，價(jià)格約是UV-ALED的10倍。由于UVLED技術(shù)門檻高、芯片與封裝技術(shù)還不夠成熟，導(dǎo)致UV-B和UV-C產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)緩慢。

　　隨著深紫外LED（發(fā)光波長(zhǎng)短于300nm）關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破，紫外光源應(yīng)用到了日常生活、生產(chǎn)科研、國(guó)土安全、生物醫(yī)療、生物探測(cè)、全天候非視距保密通訊等諸多領(lǐng)域。

　　根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究公司Yole Développement的調(diào)研報(bào)告顯示，到2017年UVLED市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)2.7億美元，超過整個(gè)紫外光源市場(chǎng)的1/3，五年內(nèi)的復(fù)合年增長(zhǎng)率可高達(dá)43%，從而形成和紫外汞蒸氣燈分庭抗禮的局面。